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汉高电子液态塑封材料白皮书正式发布

汉高电子液态塑封材料白皮书正式发布

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来源: 作者:汉高乐泰 7 2026-09-14

人工智能与高性能计算(HPC)成为数据行业核心支撑技术,先进半导体封装的热度持续攀升:更高密度互连、更精细间距、2.5D/3D架构都对包封材料提出更严苛要求;翘曲控制、加工与操作适配性、对互连结构的充分防护,三者缺一不可,任一短板都可能让整颗芯片的性能大打折扣。材料,正是筑牢先进封装根基的起点。




传统封装材料,遇到了什么瓶颈?

随着芯片复杂度不断提升、封装架构日趋解构,下一代半导体设计所采用的更高密度互连、更精细间距,以及极具挑战性的2.5D与3D架构,都对包封材料技术所能提供的稳定性与可靠性保障提出了更高要求。与此同时,半导体封装技术持续迭代,模塑材料也提出了更高的综合性能要求一一需要在翘曲控制、加工与操作适配性,以及对互连结构的充分防护等方面实现全面优化。

复合材料液态塑封工艺

液态塑封(LCM):下一代包封材料的选择液体替代固体,从本质上解决了三大痛点:
1、优异翘曲控制
将晶圆整体翘曲度维持在1.0毫米以内、面板翘曲度控制在1.5毫米以内,有效规避机械损伤及后续工序的不良影响。

2、更小填料粒径
部分前沿塑封材料已采用上限粒径为10微米甚至更小的填料,即便未来技术规格进一步收紧,仍可保障工艺兼容性,实现微米级尺寸下的高流动性与无空洞填充。

3、更低模塑压力,降低芯片损伤风险
相较固体模塑,液态塑封以更低的模塑压力、更小的填料粒径,降低对芯片的损伤风险。

模塑包封材料
是多种先进半导体封装工艺的关键赋能材料,具备多项核心功能,具体涵盖以下工艺场景:

晶圆级封装(WLP)

在晶圆层面完成芯片的整体封装,包括面向单颗。芯片解决方案的扇入型晶圆级封装(FIWLP)与扇出型晶圆级封装(FOWLP)两大技术路线。




面板级封装(PLP)
与FOWLP工艺原理类似,其核心区别在于将切割后的分立芯片放置于大型方形或矩形面板之上。不仅支持单芯片封装,同样可实现系统级封装(SiP)。

液态模塑底部填充胶(L-MUF)
仅依靠单一液体模塑材料,即可实现铜柱/凸点保护的规模化包封与底部填充。与传统毛细底部填充胶(CUF)的五步制程不同,L-MUF工艺仅需三步即可完成:



汉高解决方案无酸酐型液态塑封(LCM)材料

面对先进半导体封装的材科挑战,汉高推出了全新无酸酐型液态塑封(LCM)材料。

该材料可在晶圆塑封以及2.5D/3D工艺中实现优异的翘曲控制效果,同样适用于其他晶圆级封装应用,包括扇出型晶圆级封装(FOWLP)与扇入型晶圆级封装(FWLP)。

其中,LOCTITEECCOBOND LCM 1000系列材料已应用于大规模单颗芯片晶圆级塑封,表现出卓越的翘曲控制能力;在300毫米晶圆测试条件下,LOCTITEECCOBONDLCM1000AG-1展现出优异的流动性,所有测试工况下翘曲度均低于2.0毫米。





汉高针对L-MUF应用对LCM的化学主链进行了优化

超细填料+低膨胀系数+低模量树脂体系;

实测能力:可对11mmx11mm尺寸、23-66um凸点节距的高带宽内存(HBM)芯片实现充分细间距填充;

依托上述特性,L-MUF材料还可调配出高导热版本,使其能够满足高复杂度器件对于优异热稳定性与机械稳定性的严苛要求。

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